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Thorlabs硅光電二極管－可見光波長Si、InGaAs、Ge和雙波段(Si/InGaAs)未安裝的光電二極管波長范圍從200至2600 nmFDS100硅光電二極管還提供5個裝、10個裝或50個裝
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Thorlabs硅光電二極管－可見光波長
Si、InGaAs、Ge和雙波段(Si/InGaAs)未安裝的光電二極管
波長范圍從200至2600 nm
FDS100硅光電二極管還提供5個裝、10個裝或50個裝
Thorlabs提供具有各種有源區尺寸和封裝的光電二極管(PD)標準品。分立式PIN結光電二極管包括銦鎵砷(InGaAs)和硅(Si)光電二極管。鍺(Ge)光電二極管基于N-on-P結構。
Thorlabs硅光電二極管－可見光波長。我們最快的光電二極管有FDS015、FDS02和FDS025硅光電二極管。FDS015硅光電二極管的上升時間為35 ps，結電容為0.65 pF，是下面提供的所有光電二極管中速度最快且電容z*低的光電二極管。FD11A硅光電二極管的暗電流為2 pA，是我們暗電流最小的光電二極管。FD10D和FD05D是銦鎵砷光電二極管，在900到2600 nm的范圍內響應度高，能夠探測的范圍超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm波長。DSD2是雙波段光電二極管，集成上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長范圍從400到1700 nm。
為了豐富我們的光電二極管產品線，我們提供已安裝的光電二極管和一系列兼容的光電二極管插座。請注意，下面出售的這些二極管都是未校準的，即不同批次的響應度會稍有不同；詳細信息，請看響應變化標簽。我們也提供已校準的光電二極管，它們的校準過程可追溯至NIST，以校正響應度差異。通過PBM42直流偏壓模塊可以給大多數光電二極管施加反向偏壓，用于速度更快、功率更高的探測。
有關光電二極管飽和極限和本底噪聲，以及Thorlabs進行的有關空間均勻性(或不同響應度)、暗電流與溫度的函數關系的實驗信息，請看實驗觀測標簽。此標簽也闡述了我們定義光電二極管規格的理論和方法。例如，噪聲等效功率(NEP)與溫度的函數關系部分提供了根據散粒噪聲和熱噪聲確定NEP值的背景內容。在零偏壓(光伏模式)的情況下，NEP僅由熱噪聲確定，這是由光電二極管的并聯電阻引起的。有關光電二極管的工作、專業術語和理論等常用信息，請看光電二極管教程標簽。
探測器有源區邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應，從而扭曲光電二極管的時域響應。因此，Thorlabs建議將光入射在光電二極管有源區的中心。為此，可以在探測器前放置聚焦透鏡或針孔。
Thorlabs提供能夠平坦化光譜的濾光片，用于改善硅光電二極管的響應均勻度。
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